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英特尔新路线图公布 10nm变为Intel 7

发布时间:2021-07-27

英特尔近日公布了2023-2024 产品路线图,并且对产品节点命名做出了更改,10nm Enhanced SuperFin已更名为Intel 7 ,并随后宣布了Intel 4和Intel 3,以及Intel 3之后的20A。

据悉,英特尔透露,10nm Enhanced SuperFin已更名为Intel 7的节点已投入批量生产,10nmSuperFin相比,每瓦性能将提高 10% 至 15%。此节点将用于 Alder Lake 和 Sapphire Rapids。

Intel 4是以前称 Intel 7nm的节点。该节点将使用EUV 光刻。首批采用英特尔 4 的产品是于 2021 年第二季度的 Meteor Lake和Granite Rapids

2023 年下半年,Intel将推出Intel 3。其每瓦性能比Intel 4 提高 18%。

至于20A消息很少, 原本是Intel 5nm节点。英特尔将从 FinFET 转向其称为 RibbonFET 的 Gate-All-Around (GAA) 晶体管。

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英特尔新路线图公布 10nm变为Intel 7

发布时间:2021-07-27

英特尔近日公布了2023-2024 产品路线图,并且对产品节点命名做出了更改,10nm Enhanced SuperFin已更名为Intel 7 ,并随后宣布了Intel 4和Intel 3,以及Intel 3之后的20A。

据悉,英特尔透露,10nm Enhanced SuperFin已更名为Intel 7的节点已投入批量生产,10nmSuperFin相比,每瓦性能将提高 10% 至 15%。此节点将用于 Alder Lake 和 Sapphire Rapids。

Intel 4是以前称 Intel 7nm的节点。该节点将使用EUV 光刻。首批采用英特尔 4 的产品是于 2021 年第二季度的 Meteor Lake和Granite Rapids

2023 年下半年,Intel将推出Intel 3。其每瓦性能比Intel 4 提高 18%。

至于20A消息很少, 原本是Intel 5nm节点。英特尔将从 FinFET 转向其称为 RibbonFET 的 Gate-All-Around (GAA) 晶体管。

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