价格回升 存储市场步入上升轨迹？

就在上周的5月7日，调研机构TrendForce集邦咨询发布了最新报告，分析了存储产品价格的涨幅预测。报告显示，今年二季度DRAM合约价格的季度涨幅预计超过13%，NAND Flash闪存的涨幅超过了15%，这意味着存储产品的价格将继续上升。

而在此之前，存储行业还陷入在一场如磁暴一般的漩涡中。受终端需求不振和产业链库存高企的影响，从2022年底开始，三星、SK海力士、美光科技、西部数据等存储巨头遭受存储芯片价格跌入谷底、利润亏损、库存持续积压攀升的重创。为了应对危机，存储巨头们采取减产、降价和减少开支等一系列措施来渡过难关，比如海力士削减了NAND产量5%-10%，美光也宣布减产30%。

这样的局面就在2023年的四季度，迎来了破冰的拐点。在半导体市场复苏、原材料价格上涨、AI芯片需求旺盛等多重因素持续影响之下，存储芯片市场的价格出现了上涨的趋势，存储巨头们开始利用机会上调价格，增加利润。

其中，AI芯片需求旺盛是存储芯片市场价格上涨的一大助推剂。由于生成式人工智能的爆发式发展、国内外大厂相互竞争角逐AI大模型，大模型训练的过程数据吞吐量较大，对高速存储器的需求量也随之增加。而HBM高带宽存储器作为目前数据处理速度最快的DRAM产品，满足高性能计算的要求，能够将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，实现更高带宽、更低功耗、更小尺寸，也是目前唯一满足AI高性能计算要求的量产存储方案，因而HBM高带宽存储器成为了AI训练芯片的标配。

在这场存储芯片市场供求关系里，需求买方出于维稳库存价值的考量、AI芯片市场需求旺盛以及担心后期出现HBM产能排挤效应，都在第二季度提前购入备货，以防第三季度起可能出现HBM供应短缺的问题。相对应的，生产供给方对产品持续迭代升级，以满足市场需求。例如三星电子在第二季度批量生产下一代HBM3E 12H芯片，并持续加速NAND Flash、DRAM尤其是最新HBM产品的供应。除此之外，SK海力士到2025年为止HBM芯片的生产能力已接近满负荷；美光今年HBM产能已销售一空，2025年绝大多数产能已被预订。由此可见，存储市场已步入上升轨迹。

存储产品的迭代升级和AI芯片市场的高热需求是相辅相成的。存储产品技术需要不断地突破，才能更好地应对AI大模型的性能需求，而生成式人工智能市场的稳定发展，可以促进供应端的产品销售，避免库存积压。因此，双方的共同发展对于整个行业来说是非常有利的。