全球三大存储巨头的新动向！

AI浪潮之下，整个半导体行业都在努力抓住风口。其中，存储巨头三星和SK海力士在DRAM行业里名列一二，目前均确定在即将到来的3D DRAM采用混合键合技术，希望借此改变存储行业的游戏规则。三星预计将在2025年推出3D DRAM芯片，而SK海力士尚未确定的具体实施时间。

3D DRAM是一种先进的动态随机存取存储器技术，通过将存储单元垂直堆叠起来，使单位晶圆面积上实现更多的存储容量，这种技术可以有效解决平面DRAM在工艺微缩过程中遇到的挑战，如储存电容的高深宽比问题。这种技术不仅可以提高存储密度，而且还能降低单位成本，因为它可以重复使用存储电容。另外，3D DRAM的另一个优势是其数据访问速度更快，因为可以直接通过垂直堆叠的存储单元进行数据的读取和写入。

除此之外，随着人工智能、云计算等应用领域不断拉动存储需求，存储芯片行业正处在重大转折点，其中具备高容量、高带宽、低延时与低功耗等特性的HBM正发挥着显著作用，HBM市场供不应求，产值持续攀升。面对这种局势，三星和美光也在加强自身的布局。三星电子存储部门计划重组，美光也考虑在马来西亚生产HBM。

三星电子存储部门计划在未来半年进行大规模重组，其主要原因在于英伟达。在此之前，三星电子就已计划整合存储芯片、代工和芯片封装服务，提供一站式解决方案，力求将芯片生产周期缩短约20%。通过此举，三星电子才能在赢得人工智能相关芯片的半导体制造订单方面取得快速进展，从而吸引像英伟达等要求严苛的客户，因为英伟达生产的人工智能芯片是当前所有大型科技公司的必备产品。

另外，据相关媒体报道，美光科技正在美国建设先进高带宽存储（HBM）芯片的测试生产线，以满足AI热潮带来的高热需求，同时考虑在马来西亚生产HBM。此外，美光科技的目标是希望在2025年将HBM 的市场份额提高三倍以上，达到20%左右。

全球三大存储巨头的动向也正是AI浪潮下的直接反映。