存储行业的新驱动力 GDDR7有望成为HBM的接力棒！

随着人工智能的热潮席卷以及对高性能存储器需求的持续增长，半导体领域的竞争愈发激烈。HBM（高带宽内存）作为目前炙手可热的“香饽饽”，已经吸引了众多存储器厂商的关注和投资。与此同时，GDDR7也有望成为HBM的下一棒，成为DRAM的新战场。

GDDR7：存储行业的新驱动力

GDDR7是新一代显存技术，主要提升图形性能，另外还能够提升数据吞吐量、增强带宽以及改善功耗。最惊人的是，GDDR7与GDDR6和GDDR6X相比，速度最高可达32Gbps，性能上完全是实现质的飞跃。在今年3月，半导体标准组织JEDEC公布了GDDR7显存规格，确立新的标准。

（图片来源：系统极客《GDDR6、GDDR6X 和 GDDR7:下一代显存技术对比与解读》）

GDDR7与HBM的区别

GDDR7与HBM都是属于图形DRAM的类别，具有高带宽和高速数据传输能力，为AI计算提供强大的支持，但两者在某些方面方面还是有所区别。HBM技术通过TSV实现内存堆叠，提供高容量、高带宽、低延时和低功耗的特性，主要应用于AI服务器和超级计算机。HBM自2013年推出以来，已经发展到第五代（HBM3E），并且预计将在2025年推出第六代HBM4，进一步突破性能瓶颈。

（图片来源：三星电子官网）

与HBM相比，GDDR7使用脉冲幅度调制（PAM）接口进行高频操作，特别是PAM3接口，提高了信号噪声比（SNR），同时提高了能效。GDDR7主要针对图形处理、游戏、计算、网络和AI等领域。GDDR7的高带宽和高速数据传输能力，使其在游戏领域能够显著提升画面流畅度和加载速度，而在AI领域，GDDR7支持快速数据处理和运算，加速模型训练和推理。

存储三巨头的竞争：三星、SK海力士和美光

随着AI技术的不断进步，存储器大厂之间的竞争也从HBM扩展到了GDDR领域。三星、SK海力士和美光这三家存储器大厂都在积极布局GDDR7市场。

（图片来源：三星电子官网）

三星和SK海力士已经宣布了各自的GDDR7规格，其中，三星GDDR7芯片首次使用PAM3信号，在DRAM电压仅为1.1V的情况下，可以达到32Gbps的速度，超过了JEDEC GDDR7规范的1.2V；SK海力士最新推出的GDDR7产品与前代GDDR6相比，最大带宽为160GB/s，是上一代的两倍，能效提升40%，内存密度提升1.5倍。

（图片来源：美光）

在6月初的台北国际电脑展上，美光也宣布了其GDDR7样品，其速度达到 32Gbps，内存带宽为 1.5TB/秒，比 GDDR6 提高了 60%，拥有业界最高的比特密度（bit）。美光 GDDR7 采用 1β DRAM 技术和创新架构，具有四个独立通道来优化工作负载，提供更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。

存储器市场的竞争从未停歇，HBM的火热势头不减，而GDDR7的蓄势待发预示着新的市场机遇。随着技术的不断进步和市场需求的增长，我们有理由相信，GDDR7将在AI浪潮中发挥重要作用，成为推动存储器市场向前发展的又一驱动力。未来，我们将密切关注这一领域的新发展，期待带来更多的技术突破和市场变革。