SK海力士加速400层NAND闪存开发，计划在明年底实现量产！

在存储技术领域，SK海力士正加速其400层NAND闪存的开发进程，以期在2025年末之前做好大规模生产的准备。这一消息源自韩媒ETNews的报道，并且根据业内人士透露，SK海力士正在与供应链合作伙伴紧密合作，共同开发所需的工艺技术和设备。

SK海力士在去年的2023闪存峰会上首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，该产品采用了PUC技术，将外围控制电路放置在存储单元下方，有效减少了芯片占用空间。而在400层及以上的NAND闪存上，SK海力士计划采用不同于现有“4D NAND”的整体结构的W2W（晶圆对晶圆）混合键合技术，通过在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，再将两部分整合为完整的NAND闪存。

SK海力士的目标是将未来两代产品的间隔时间缩短至1年，这迭代耗时明显短于业界1.5至2年的平均水平。这种加速开发策略有望帮助SK海力士在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位。同时，通过混合键合技术，SK海力士可能在提高存储密度和生产效率方面迈出重要的一步。

随着AI PC和数据中心对高性能存储器的需求日益增长，NAND闪存技术的发展正成为行业的焦点。SK海力士的400层NAND闪存开发不仅展示了公司在技术创新上的决心，也反映了整个行业对于更高性能、更大容量存储解决方案的追求。此外，SK海力士的这一举措也可能对整个供应链产生深远影响，随着新的工艺技术和设备的开发，更多的材料和组件供应商有望进入新的供应链，推动整个行业的技术进步和成本效益提升。