2024年市场动态|全球半导体存储产业复苏与技术革新

全球半导体存储产业迎来新发展阶段

随着人工智能和数据中心需求的持续增长，全球半导体存储产业自2023年第四季度以来开始呈现回暖迹象。特别是在HBM（High Bandwidth Memory）等高性能存储器领域，市场对其需求强劲，推动了存储产业的进一步发展。

SK海力士DDR5 DRAM提价与生产投资布局

由于HBM3/3E内存产能的挤占，SK海力士已将其DDR5 DRAM芯片价格提高了15%-20%。这一价格调整反映了市场对高性能存储器需求的增长以及对2024年产能的预期。与此同时，在技术创新方面，SK海力士正计划推出12层HBM3E样品并开始量产，预计在明年下半年推出与台积电合作开发的12层HBM4。此外，公司还宣布了新一代显存产品GDDR7的推出，该产品在运行速度和能效上都有显著提升，并计划于今年第三季度量产。

SK海力士的建厂投资同样显示出其对未来发展的信心。公司将在韩国龙仁投资约9.4万亿韩元建设晶圆厂及事业设施，生产下一代半导体，包括AI存储器HBM。在美国，SK海力士与美国商务部签署了初步备忘录，计划在印第安纳州建设HBM先进封装生产基地，总投资达38.7亿美元，并预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于AI的存储器产品。

铠侠的营收增长与IPO计划

铠侠公布的2024财年第一财季营收报告显示，公司营收创历史新高，达4,285亿日元，同比大涨71%，环比增长106.4%。铠侠位于日本岩手县北上市的Fab 2工厂已于7月完工，计划于2025年秋季开始运营，专注于增产AI用最先进存储器。

三星电子的DRAM技术进展

三星电子在DRAM技术方面也有新的发展。公司已开始批量生产业界最薄的12纳米级LPDDR5X DRAM内存，并计划在平泽P4工厂内建设1c纳米制程DRAM产线，预计2025年6月投入量产。

三星还透露，第五代8层HBM3E产品计划在2024年第3季度开始量产，而12层HBM3E芯片已完成量产准备，预计下半年扩大供应。

美光科技的NAND闪存量产 

美光科技宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术的SSD产品已开始出货，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。G9 NAND的数据传输速率比当前SSD中的NAND技术快50%，且封装紧凑，节省空间。

全球存储产业链的复苏态势强烈，市场需求提升和高附加值产品如HBM的快速崛起为产业发展提供了强劲动力。同时，根据TrendForce集邦咨询的预测，2024年DRAM及NAND Flash产业营收有望显著增长，2025年产业营收预计将持续增长，创历史新高。