三星、SK海力士和美光提高HBM产量，预计明年产量翻倍

全球领先的三大内存制造商SK海力士、三星和美光正在积极推进高带宽内存（HBM）的扩产计划。据《商业时报》报道，预计到2025年，这些厂商的HBM产量将实现显著增长，年增长率达到105%。根据业内专家的估计，到2025年，全球HBM的新增产量有望达到27.6万片，总产能预计将增至54万片。这一增长得益于内存技术的最新发展，其中HBM3e预计将成为今年的市场主导产品，其出货量主要集中在下半年。

目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。

图源：SK海力士

关于主要内存厂商在HBM上的扩张计划，三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂（P1L、P2L和P3L），以用于DDR5和HBM。同时，华城工厂（13号线、15号线和17号线）正在升级为1α工艺，仅保留一小部分1y/1z工艺的产能，以满足航空航天等专业行业的需求。

SK海力士在韩国利川的M16生产线上生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，以供应DDR5和HBM产品。此外，其中国无锡工厂在获得美国政府批准后，正在积极从1y/1z工艺升级为1z/1α工艺，以生产DDR4和DDR5产品。

美光在日本广岛工厂生产HBM，预计今年第四季度产能将增至25,000台。从长远来看，美光计划引入EUV工艺（1γ，1δ）并建立一个新的洁净室。

短期内，美光将利用台湾林口和台中工厂的产能，提高1β工艺的比例。到 2025 年底，HBM 的总产量预计将达到 60,000 台左右。

据《商报》报道，全球前三大厂商HBM产量将连续两年保持高增长，预计到2025年底，全球硅片总产量将达到每月约54万片。

这一产能扩张不仅展示了内存制造商对未来市场需求的信心，也反映了高带宽内存技术在高性能计算和人工智能等领域的日益重要性。

资讯来源：TrendForce集邦咨询TrendForce Insights