受HBM和QLC技术影响，TrendForce看涨DRAM与NAND Flash2024营收年增超七成！

根据TrendForce集邦咨询的最新研究报告，存储器产业在2024年和2025年将迎来显著的营收增长。这一增长主要得益于位元需求的增加、供需结构的改善以及高附加价值产品如HBM（高带宽内存）和QLC（四层式存储单元）技术的崛起。

DRAM和NAND Flash产业的增长

2024年，DRAM内存产业的营收预计将达到907亿美元，同比增长75%，而NAND闪存产业的营收预计将达到674亿美元，同比增长77%。这一增长趋势预计将持续到2025年，届时DRAM内存产业的营收预计将达到1365亿美元，同比增长51%，NAND闪存产业的营收预计将达到870亿美元，同比增长29%。

驱动因素

DRAM内存产业的增长主要受到以下四个因素的驱动：

• HBM技术的崛起，预计将贡献2024年DRAM位元出货量的5%，营收贡献达到20%。
• DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透，有助于提高平均价格。
• 原厂资本支出的限缩，导致供给减少。
• 服务器需求的复苏。

对于NAND闪存产业，增长动力包括：

• QLC(四层式存储单元)Enterprise SSD（企业级固态硬盘)的崛起，尤其是在北美云服务供应商中大规模应用。
• 智能手机对QLC UFS闪存的导入，预计部分中国业者将从2024年第四季度开始采用QLC UFS存储方案，苹果公司则预计从2026年开始在iPhone中使用此类产品。

产业影响

随着存储器产业营收的增长，原厂将拥有更多的现金流，预计将加速投资，2025年DRAM和NAND Flash产业的资本支出预计将分别同比增长25%和10%。然而，存储器价格上涨也将增加电子产品的成本，这可能导致原始设计制造商和原始设备制造商的利润被压缩，终端销量可能受到影响，进而导致需求下滑。

除此之外，TrendForce集邦咨询在报告中指出，存储器产业的增长不仅受到技术创新的推动，还受到市场需求的复苏和供需结构的改善。尽管产业增长前景乐观，但存储器价格上涨对整个产业链的影响也不容忽视，特别是在成本压力和需求动态方面。随着技术的不断进步和市场需求的持续增长，存储器产业有望在未来几年内继续保持强劲的增长势头。