三星电子|HBM3通过英伟达验证或仅用于H20以及DRAM技术计划与进展

据外媒报道，三星电子在内存技术领域取得了显著进展。首先，三星电子的第三代高带宽内存（HBM3）已通过英伟达的质量验证，并将向英伟达供应第四代高带宽内存（HBM3），用于专为中国市场制造的H20图形处理单元（GPU）。然而，第五代HBM3E尚未达到标准，仍在测试中。目前尚不清楚HBM3是否会用于其他产品，以及是否需要通过额外的测试。三星最早可能在8月份开始为英伟达H20供应HBM3。

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尽管如此，业界有分析认为，美国可能会在10月份再次审查半导体出口政策时，实施新的贸易限制，这可能包括收紧H20的销售，削减其性能，甚至完全禁售，以防止该芯片进入中国市场。

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在DRAM技术方面，三星电子副总裁杨昌锡（Changsik Yoo）宣布，三星的下一代DRAM技术——4F Square DRAM技术进展顺利。除了成功量产1b DRAM外，预计2025年将开发出4F Square DRAM的初始样本。4F Square DRAM采用垂直通道晶体管（VCT）结构，可以减少芯片表面积30%，从而提高DRAM密度和性能。业界认为，三星2025年的4F Square DRAM初始样本可能仅供内部发布，而使用VCT和4F Square技术的DRAM产品预计将在2027至2028年间推出。

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此外，三星正在积极开发下一代HBM4技术。三星正在开发单堆叠容量高达48GB的高容量HBM4内存，预计明年开始生产，并计划使用4nm先进工艺生产HBM4逻辑芯片。三星还成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样本功能正常。这种16层堆叠混合键合技术将用于未来大规模生产HBM4。

在3D DRAM技术方面，三星计划到2030年实现3D DRAM的商业化。2024年，三星展示了包括VCT和堆叠DRAM在内的两种3D DRAM技术，预计使用晶圆到晶圆混合键合技术和BSPDN技术生产3D DRAM。三星表示，堆叠DRAM可以充分利用Z轴空间，在更小的区域内容纳更多的存储单元，单芯片容量超过100Gb。今年5月，三星指出，它与其他公司一起成功制造了16层3D DRAM，但强调尚未准备好大规模生产。

最后，三星计划将混合键合技术应用于4F Square DRAM的生产。混合键合是一种下一代封装技术，通过垂直堆叠芯片来增加单元密度，从而提高性能，这也将影响HBM4和3D DRAM的发展。

不论是HBM3获英伟达通过批准，还是有关DRAM技术方面的开发和计划，都无疑表明三星在内存技术领域的创新和研发正不断推进，以满足未来高性能计算和存储的需求。